やすみたい

§ [デバイス][テクノロジ] 配線中にトランジスタを形成

　　IEDMが始まったのでデバイス関係のニュースがたくさん登場しておりますが、その中で一番意表を突かれたデバイスがこちら。

Al上にSiを形成して加熱すると，AlとSiが置き換わり，多結晶Siの上にAlが載った構造に変わる性質を利用して， Al配線中にトランジスタを形成する。カリフォルニア大学は，配線に見立てた幅10μm，長さ10μmのAl上にSiを載せて，窒素雰囲気中で400℃，2時間の加熱をすると同現象が起こることを示した。 *1

　　このAlとSiが入れ替わる現象は、一般的な半導体デバイス製造プロセスでは歩留まりを下げる「スパイク」の元凶であるわけですが、このUCバークレーのグループはそれを逆に利用してしまった……ということみたいです。最先端テクノロジで作られたFETほどの性能は出ないでしょうけど、スペースの有効利用が可能-3次元LSI-という利点を生かせれば面白い使い方ができそうです。